需求信息
本发明提供了一种碳纳米管存储结构的制造方法及半导体器件的制造方法，首先在基底上形成第一介质层，再形成暴露出第一电极的第一沟槽，再在第一沟槽中形成碳纳米管和第二电极，由于没有使用多层掩膜层及多步刻蚀工艺形成碳纳米管和第二电极，避免了碳纳米管的剥离和起泡的问题，提高了器件的稳定性和良率；并且，本发明提供的碳纳米管存储结构的制造方法及半导体器件的制造方法步骤少，工艺简单、易于掌控，提高了制造器件的效率，同时也降低了制造成本。
专利信息
| 愿意合作方式 |
创业投资 |
| 有效截止时间 |
2023-05-11 |
| 联系人姓名 |
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附件信息
